IBM atstovų teigimu, nauja atmintinės technologija leis išspręsti tam tikras problemas, kylančias pritrūkus duomenų magistralių pralaidumo. Šiuolaikiniai procesoriai duomenis gali apdoroti daug sparčiau, nei šiuolaikinė atmintinė gali juos pateikti.
Anot IBM puslaidininkių tyrimų skyriaus viceprezidentės Lisa Su, kompanijos pereina per ugnį ir vandenį, kad esamą įrangą priverstų dirbti šiek tiek sparčiau. Viename luste IBM bando suderinti dvi skirtingas technologijas, leisiančias sudaryti daugiau atmintinės ląstelių.
IBM bando didžiąją dalį procesoriuose įprastos statinės atmintinės (SRAM) pakeisti į dinaminę (DRAM), kuri paprastai naudojama kaip kompiuterio pagrindinė atmintinė. SRAM atmintinę paprasta pagaminti ir ji veikia labai sparčiai, tačiau kiekvienai atmintinės ląstelei reikia daug daugiau elementų nei DRAM. Dėl šios priežasties keletas megabaitų SRAM silicio luste gali užimti tiek pat, kiek ir keliasdešimt megabaitų DRAM.
Dinaminė atmintinė nuo statinės skiriasi savo darbo pobūdžiu. SRAM atmintinė išsaugo įrašytą duomenų bitą tol, kol įjungtas maitinimas. DRAM ląsteles būtina periodiškai įkrauti, antraip jos „pamirš“ saugomą informaciją.
Kompanijos inžinieriai teigia, kad IBM pavyko sukurti tokias DRAM atmintines, kurios savo sparta nenusileidžia SRAM. Tokios atmintinės, vadinamos integruotomis DRAM („embedded DRAM“ ar eDRAM), gali padidinti daugelio branduolių procesorių darbo spartą. Jos ypač tinka apskaičiuoti grafinių objektų judėjimui žaidimuose ar kitose daugialypėse sistemose. Paprasta DRAM atmintinė ir toliau bus diegiama ne procesoriuje.
Anot L. Su, IBM nebuvo pirmoji kompanija, bandžiusi tai padaryti. Procesoriaus atmintinės didinimas yra viena sudėtingiausių procesorių gamybos užduočių. Šios atmintinės trūkumas ypač juntamas didelės spartos procesoriuose, todėl IBM ši problema buvo ypač svarbi.
IBM žada, kad naujoji technologija pirmiausia bus pradėta naudoti naujuose serverių procesoriuose, pasirodysiančiuose 2008 metais, o vėliau bus perkelta ir į kitus gaminius. Nepriklausomų puslaidininkių ekspertų teigimu, tokios naujovės leis kur kas greičiau pasiekti duomenis ir apdoroti juos su mažesniais vėlinimais. Anot „VLSI Research Inc.“ kompanijai priklausančios puslaidininkių technologijų entuziastų svetainės WeSRCH.com direktoriaus Davido Lammerso, tai nėra kažkoks eksperimentinis laboratorinis darbas, kurio metu tyrinėjama kokia nors egzotinė atmintinė. Tai realus gaminys, kuris bus naudojamas greitai pasirodysiančiuose procesoriuose.
Puslaidininkių gamintojai verčiasi per galvą siekdami viename silicio luste sudaryti daugiau elementų, padidinti jų darbo spartą ir sumažinti elektros energijos sąnaudas. Praėjusią savaitę „Intel Corp.“ paskelbė apie daugelio branduolių procesorių, dirbantį superkompiuterio sparta, tačiau naudojantį tiek pat elektros energijos, kiek ir paprasta elektros lemputė.
Praėjusį mėnesį „Intel“ ir IBM tuo pat metu paskelbė, kad kompanijoms pavyko sugalvoti, kaip pagaminti mažesnius procesorių elementus, naudojančius mažiau elektros energijos. Paprastai mažinant procesorių elementų dydžius pradeda reikštis nepageidaujami srovės nuotekų efektai, todėl IBM ir „Intel“ nepriklausomai viena nuo kitos ieškojo naujų medžiagų, galinčių užkirsti kelią srovės nuotekoms.
Visi šie laimėjimai padeda kompanijoms laikytis dar 1965 metais „Intel“ įkūrėjo Gordono Moore'o sugalvoto dėsnio, kuris skelbia, kad procesorių tranzistorių skaičius turi didėti du kartus kas dvejus metus.