Gegužės mėnesį IBM pristatė puslaidininkinių lustus su mažiausiais kada nors pagamintais tranzistoriais, kurių kiekvieno plotis – vos 2 nanometrai (nm): tai yra siauriau už DNR grandinę.
Tai leido į piršto nago dydžio lustą įmontuoti 50 mlrd. tranzistorių – o savo ruožtu tai labai padidino našumą ir efektyvumą, dėl ko energijos sąnaudos sumažėjo 75 proc., palyginus su dabartiniais standartiniais lustais su 7 nm tranzistoriais.
Tradiciniuose puslaidininkiuose tranzistoriai išdėstomi lygiagrečiai, o elektros srautas teka iš vienos pusės į kitą. IBM ir „Samsung“ sukurtoje naujoje architektūroje, vadinamoje VTFET (angl. Vertical Transport Field Effect Transistors), tranzistoriai ant lusto išdėstyti vertikaliai, todėl srovė teka aukštyn ir žemyn.
